塚﨑研究室|東京大学

藤原宏平 Kohei Fujiwara

研究分野や研究の興味
酸化物エレクトロニクス、薄膜新材料、スピントロニクス、薄膜合成、固体化学、トポロジカル物質、アモルファス薄膜

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科研費データベース

略歴

2003年3月 東京大学理学部化学科 卒業

2008年3月 東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻 修了 博士(科学)

2008年4月 理化学研究所 基礎科学特別研究員

2011年2月 大阪大学産業科学研究所 助教

2015年4月 東北大学金属材料研究所 講師

2018年10月 東北大学金属材料研究所 准教授

2023年4月 科学技術振興機構 創発研究者

最近の成果(筆頭および責任著者分)

Berry curvature contributions of kagome-lattice fragments in amorphous Fe–Sn thin films

K. Fujiwara, Y. Kato, H. Abe, S. Noguchi, J, Shiogai, Y. Niwa, H. Kumigashira, Y. Motome, and A. Tsukazaki

Nature Communications 14, 3399 (2023).

国際出願 PCT/JP2022/038027

02_CSS-EDLT

Electrochemical thinning of Co kagome-lattice layers in ferromagnetic Co3Sn2S2 thin films  by bias-induced Co dissolution [Featured Article]

K. FujiwaraJ, Ikeda, S. Ito, and A. Tsukazaki

Journal of Applied Physics 133, 125302 (2023).

03_OYO

トポロジカル物質を用いた薄膜磁気センサ

藤原 宏平, 塩貝 純一, 塚﨑 敦

応用物理 92, 20 (2023).

Thin-film magnetic sensors using topological materials

K. Fujiwara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

JSAP Review 2023, 230414 (2023).

04_Co2FeSn

Crystalline order L21 ordering of Co2FeSn thin films promoted by high-temperature annealing

K. Fujiwara, K. Shibata, S. Nishimura, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

AIP Advances 12, 065030 (2022).

特願 2022-058190

05_Fe3Sn

 Tuning scalar spin chirality in ultrathin films of the kagome-lattice ferromagnet Fe3Sn

K. Fujiwara, Y. Kato, T. Seki, K. Nomura, K. Takanashi, Y. Motome, and A. Tsukazaki

Communications Materials 2, 113 (2021).

06_FA

 Two-dimensionality of metallic surface conduction in Co3Sn2S2 thin films

J. Ikeda, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, K. Nomura, K. Takanashi, and A. Tsukazaki

Communications Physics 4, 117 (2021).

07_MWS

Critical thickness for the emergence of Weyl features in Co3Sn2S2 thin films

J. Ikeda, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, K. Nomura, K. Takanashi, and A. Tsukazaki

Communications Materials 2, 18 (2021).

08_MTIO

 Stabilization of a honeycomb lattice of IrO6 octahedra by formation of ilmenite-type superlattices in MnTiO3

K. Miura, K. Fujiwara, K. Nakayama, R. Ishikawa, N. Shibata, and A. Tsukazaki

Communications Materials 1, 55 (2020).

09_CRO

Insulator-to-Metal Transition of Cr2O3 Thin Films via Isovalent Ru3+ Substitution

K. Fujiwara, M. Kitamura, D. Shiga, Y. Niwa, K. Horiba, T. Nojima, H. Ohta, H. Kumigashira, and A. Tsukazaki

Chemistry of Materials 32, 5272 (2020).

10_SMR

Electrical detection of the antiferromagnetic transition in MnTiO3 ultrathin films by spin Hall magnetoresistance

K. Miura, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Nojima, and A. Tsukazaki

Journal of Applied Physics 127, 103903 (2020).

11_Fe-Sn-Ta

 Doping-induced enhancement of anomalous Hall coefficient in Fe-Sn nanocrystalline films for highly sensitive Hall sensors

K. Fujiwara, Y. Satake, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

APL Materials 7, 111103 (2019).

12_CSS

Ferromagnetic Co3Sn2S2 thin films fabricated by co-sputtering

K. Fujiwara, J. Ikeda, J. Shiogai, T. Seki, K. Takanashi, and A. Tsukazaki

Japanese Journal of Applied Physics 58, 050912 (2019).

13_MSO

Growth control of corundum-derivative MnSnO3 thin films by pulsed-laser deposition

K. Miura, K. Fujiwara, and A. Tsukazaki

AIP Advances 9, 035210 (2019).

14_Fe-Sn

Fe-Sn nanocrystalline films for flexible magnetic sensors with high thermal stability

Y. Satake, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, and A. Tsukazaki

Scientific Reports 9, 3282 (2019).

特願 2018-157542, US特許 11,543,468 B2

15_rutile

 Formation of distorted rutile-type NbO2, MoO2, and WO2 films by reactive sputtering

K. Fujiwara and A. Tsukazaki

Journal of Applied Physics 125, 085301 (2019).

16_ZSO_2

Thin-film stabilization of LiNbO3-type ZnSnO3 and MgSnO3 by molecular-beam epitaxy

K. Fujiwara, H. Minato, J. Shiogai, A. Kumamoto, N. Shibata, and A. Tsukazaki

APL Materials 7, 022505 (2019).

17_ZSO

 High-mobility field-effect transistor based on crystalline ZnSnO3 thin films

H. Minato, K. Fujiwara, and A. Tsukazaki

AIP Advances 8, 055327 (2018).

18_PLD

Fabrication of tetragonal FeSe – FeS alloy films with high sulfur contents by alternate deposition

K. Fujiwara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

Japanese Journal of Applied Physics 56, 100308 (2017).

19_EDLT

Enhanced electron mobility at the two-dimensional metallic surface of BaSnO3 electric-double-layer transistor at low temperatures

K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

Applied Physics Letters 110, 203503 (2017).

20_Hetero_FET

High field-effect mobility at the (Sr,Ba)SnO3/BaSnO3 interface

K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki

AIP Advances 6, 085014 (2016).

主要論文・業績
  1. 電気二重層トランジスタ構造を用いた酸化物の物性制御
    Advanced Materials Interfaces 1, 1300108 (2014).
    Scientific Reports 4, 5818 (2014).
    Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014

  2. 5d遷移金属酸化物における逆スピンホール効果の観測
    Nature Communications 4, 2893 (2013).

  3. 抵抗変化メモリの局所相変化メカニズム解明

    Japanese Journal of Applied Physics 47, 6266 (2008).
    Applied Physics Letters 95, 012110 (2008).
    Applied Physics Letters 103, 193114 (2013).
    第32回応用物理学会論文奨励賞
    第34回応用物理学会講演奨励賞

研究室志望の学生さんに一言

物理と化学が複雑に絡み合った新しい分野で、皆さんの柔軟な発想を試してみませんか。